PHKD13N03LT,118
참조 용
| 부품 번호 | PHKD13N03LT,118 |
| PNEDA 부품 번호 | PHKD13N03LT-118 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,478 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PHKD13N03LT 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PHKD13N03LT,118 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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PHKD13N03LT 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | TrenchMOS™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10.4A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 10.7nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 752pF @ 15V |
| 전력-최대 | 3.57W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SO |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 220mA, 140mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9.5pF @ 10V 전력-최대 300mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-88 (SC-70-6) |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 500pF @ 15V 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type B) |
제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 83A Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 450nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 15000pF @ 25V 전력-최대 380W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 TO-240AA 공급자 장치 패키지 TO-240AA |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 128pF @ 10V 전력-최대 800mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 6-MCPH |
