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PHKD3NQ10T,518

PHKD3NQ10T,518

참조 용

부품 번호 PHKD3NQ10T,518
PNEDA 부품 번호 PHKD3NQ10T-518
설명 MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
제조업체 Nexperia
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PHKD3NQ10T 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PHKD3NQ10T,518
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
PHKD3NQ10T, PHKD3NQ10T 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 291.31 KB)
PDFPHKD3NQ10T 데이터 시트 표지
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PHKD3NQ10T 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈TrenchMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs90mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs21nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds633pF @ 20V
전력-최대2W
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1250pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

DMP2040USD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A (Ta), 12A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 8.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

834pF @ 10V

전력-최대

1.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchPLUS

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

65V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.6A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30.8nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2660pF @ 25V

전력-최대

4.4W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

20-SO

FDC6000NZ_F077

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

840pF @ 10V

전력-최대

1.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6 FLMP

IPG16N10S461AATMA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

61mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 9µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

490pF @ 25V

전력-최대

29W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount, Wettable Flank

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