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PHT2NQ10T,135

PHT2NQ10T,135

참조 용

부품 번호 PHT2NQ10T,135
PNEDA 부품 번호 PHT2NQ10T-135
설명 MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
제조업체 NXP
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재고 있음 2,088
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PHT2NQ10T 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PHT2NQ10T,135
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
PHT2NQ10T, PHT2NQ10T 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 269.45 KB)
PDFPHT2NQ10T 데이터 시트 표지
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PHT2NQ10T 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈TrenchMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs430mOhm @ 1.75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs5.1nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds160pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)6.25W (Tc)
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-223
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1580pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.4W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDC697P_F077

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3524pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6 FLMP

패키지 / 케이스

6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

IRFU3806PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

43A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1150pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

71W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

IPAK (TO-251)

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

FQA33N10L

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

52mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1630pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

163W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

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NVMFS5C404NWFAFT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

53A (Ta), 378A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

128nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.9W (Ta), 200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

패키지 / 케이스

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