PLZ4V7C-HG3/H
참조 용
| 부품 번호 | PLZ4V7C-HG3/H |
| PNEDA 부품 번호 | PLZ4V7C-HG3-H |
| 설명 | DIODE ZENER 4.805V 960MW DO219AC |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,240 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PLZ4V7C-HG3/H 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PLZ4V7C-HG3/H |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
| 데이터 시트 |
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PLZ4V7C-HG3/H 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, PLZ |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 4.81V |
| 공차 | ±2.6% |
| 전력-최대 | 960mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 25 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 1V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 900mV @ 10mA |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-219AC |
| 공급자 장치 패키지 | DO-219AC (microSMF) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 110V 공차 - 전력-최대 800mW 임피던스 (최대) (Zzt) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 82V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 DO-219AB (SMF) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 전압-제너 (Nom) (Vz) - 공차 - 전력-최대 - 임피던스 (최대) (Zzt) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 12V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 30 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 9.1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-80 Variant 공급자 장치 패키지 SOD-80 QuadroMELF |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 전압-제너 (Nom) (Vz) - 공차 - 전력-최대 - 임피던스 (최대) (Zzt) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
