PMBFJ108,215
참조 용
| 부품 번호 | PMBFJ108,215 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | PMBFJ108-215 | ||||||||||||||||||
| 설명 | JFET N-CH 25V 250MW SOT23 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | NXP | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 1 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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PMBFJ108 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PMBFJ108,215 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
| 데이터 시트 |
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PMBFJ108 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | 25V |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 80mA @ 15V |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | - |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 10V @ 1µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 30pF @ 10V (VGS) |
| 저항-RDS (켜짐) | 8 Ohms |
| 전력-최대 | 250mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23 (TO-236AB) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 50V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 600µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 400mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8.2pF @ 0V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 100mW 작동 온도 125°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 40V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 150mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대 100pA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 10V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐) 30 Ohms 전력-최대 1.8W 작동 온도 -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-18 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 35V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 3V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) 30 Ohms 전력-최대 350mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 20V 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 300mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 8V @ 10µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 32pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 360mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 - 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) - 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-206AA (TO-18) |
