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PMBFJ176,215

PMBFJ176,215

참조 용

부품 번호 PMBFJ176,215
PNEDA 부품 번호 PMBFJ176-215
설명 JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
제조업체 NXP
단가
1 ---------- $4.8896
250 ---------- $4.6604
500 ---------- $4.4312
1,000 ---------- $4.2020
2,500 ---------- $4.0110
5,000 ---------- $3.8200
재고 있음 109
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PMBFJ176 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMBFJ176,215
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
PMBFJ176, PMBFJ176 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 165.27 KB)
PDFPMBFJ175 데이터 시트 표지
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PMBFJ176 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
FET 유형P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)30V
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)2mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id1V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds8pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐)250 Ohms
전력-최대300mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23 (TO-236AB)

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

5V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

85 Ohms

전력-최대

400mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92

J202_D74Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

900µA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

800mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MX2N4393UB

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

PF5102

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

700mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

J177_D74Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

800mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

300 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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