PMBT5550,215
참조 용
| 부품 번호 | PMBT5550,215 |
| PNEDA 부품 번호 | PMBT5550-215 |
| 설명 | TRANS NPN 140V 0.3A SOT23 |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 50,382 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PMBT5550 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PMBT5550,215 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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PMBT5550 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 300mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 140V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 50nA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| 전력-최대 | 250mW |
| 주파수-전환 | 300MHz |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-236AB |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/291 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대) 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 10V 전력-최대 500mW 주파수-전환 - 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-18 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 380mV @ 25mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 270 @ 100mA, 2V 전력-최대 200mW 주파수-전환 320MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SST3 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/498 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 5V @ 2A, 8A 전류-수집기 차단 (최대) 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 15 @ 3A, 5V 전력-최대 125W 주파수-전환 - 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지 TO-204AA (TO-3) |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V 전력-최대 150mW 주파수-전환 100MHz 작동 온도 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 TO-236 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 2V 전력-최대 625mW 주파수-전환 150MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
