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PMDPB28UN,115

PMDPB28UN,115

참조 용

부품 번호 PMDPB28UN,115
PNEDA 부품 번호 PMDPB28UN-115
설명 MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,716
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMDPB28UN 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMDPB28UN,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
PMDPB28UN, PMDPB28UN 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 965.07 KB)
PDFPMDPB28UN 데이터 시트 표지
PMDPB28UN 데이터 시트 페이지 2 PMDPB28UN 데이터 시트 페이지 3 PMDPB28UN 데이터 시트 페이지 4 PMDPB28UN 데이터 시트 페이지 5 PMDPB28UN 데이터 시트 페이지 6 PMDPB28UN 데이터 시트 페이지 7 PMDPB28UN 데이터 시트 페이지 8 PMDPB28UN 데이터 시트 페이지 9 PMDPB28UN 데이터 시트 페이지 10 PMDPB28UN 데이터 시트 페이지 11

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PMDPB28UN 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs37mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs4.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds265pF @ 10V
전력-최대510mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지DFN2020-6

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Vishay Siliconix

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TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A, 2.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

DMC3400SDW-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

650mA, 450mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 590mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

55pF @ 15V

전력-최대

310mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

SQJB60EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1600pF @ 25V

전력-최대

48W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

IRF9910

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A, 12A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.55V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SI7872DP-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

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