PMDPB28UN,115
참조 용
부품 번호 | PMDPB28UN,115 |
PNEDA 부품 번호 | PMDPB28UN-115 |
설명 | MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6 |
제조업체 | NXP |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 4,716 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PMDPB28UN 리소스
브랜드 | NXP |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | PMDPB28UN,115 |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
데이터 시트 |
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PMDPB28UN 사양
제조업체 | NXP USA Inc. |
시리즈 | - |
FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
FET 기능 | Logic Level Gate |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.6A |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 4.6A, 4.5V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.7nC @ 4.5V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 265pF @ 10V |
전력-최대 | 510mW |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 6-UDFN Exposed Pad |
공급자 장치 패키지 | DFN2020-6 |
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