PMDPB30XN,115
참조 용
| 부품 번호 | PMDPB30XN,115 |
| PNEDA 부품 번호 | PMDPB30XN-115 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,536 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PMDPB30XN 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PMDPB30XN,115 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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PMDPB30XN 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 900mV @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 21.7nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 660pF @ 10V |
| 전력-최대 | 490mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-UDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 6-HUSON-EP (2x2) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.1A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 72mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 256pF @ 15V 전력-최대 485mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 DFN2020D-6 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14A (Ta), 49A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 650pF @ 25V 전력-최대 3W (Ta), 38W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2360pF @ 6V 전력-최대 2.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지 X3-DSN2718-6 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 42A Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 273nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6761pF @ 25V 전력-최대 416W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
