PMDPB58UPE,115
참조 용
| 부품 번호 | PMDPB58UPE,115 |
| PNEDA 부품 번호 | PMDPB58UPE-115 |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 67,674 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 12 - 4월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PMDPB58UPE 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PMDPB58UPE,115 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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PMDPB58UPE 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.6A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 950mV @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.5nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 804pF @ 10V |
| 전력-최대 | 515mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-UDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 6-HUSON-EP (2x2) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.7A, 1.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 325pF @ 10V 전력-최대 700mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 SuperSOT™-6 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 21A (Tc), 15A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V 전력-최대 900mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PowerDI3333-8 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 540mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 150pF @ 16V 전력-최대 250mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 123mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 220pF @ 15V 전력-최대 650mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-MicroFET (2x2) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
