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PMDPB80XP,115

PMDPB80XP,115

참조 용

부품 번호 PMDPB80XP,115
PNEDA 부품 번호 PMDPB80XP-115
설명 MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6
제조업체 Nexperia
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재고 있음 6,048
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMDPB80XP 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMDPB80XP,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
PMDPB80XP, PMDPB80XP 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 1,497.1 KB)
PDFPMDPB80XP 데이터 시트 표지
PMDPB80XP 데이터 시트 페이지 2 PMDPB80XP 데이터 시트 페이지 3 PMDPB80XP 데이터 시트 페이지 4 PMDPB80XP 데이터 시트 페이지 5 PMDPB80XP 데이터 시트 페이지 6 PMDPB80XP 데이터 시트 페이지 7 PMDPB80XP 데이터 시트 페이지 8 PMDPB80XP 데이터 시트 페이지 9 PMDPB80XP 데이터 시트 페이지 10 PMDPB80XP 데이터 시트 페이지 11

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PMDPB80XP 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 1.8V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs102mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds550pF @ 10V
전력-최대485mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지6-HUSON-EP (2x2)

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1450pF @ 10V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

2N7002KDW-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

340mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

40pF @ 10V

전력-최대

150mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

NVMFD5C680NLWFT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A (Ta), 26A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 13µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

전력-최대

3W (Ta), 19W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

SISF00DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET® Gen IV

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

53nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2700pF @ 15V

전력-최대

69.4W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8SCD

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8SCD

SQ4284EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2200pF @ 25V

전력-최대

3.9W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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