PMDXB550UNEZ
참조 용
| 부품 번호 | PMDXB550UNEZ |
| PNEDA 부품 번호 | PMDXB550UNEZ |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,118 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PMDXB550UNEZ 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PMDXB550UNEZ |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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PMDXB550UNEZ 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 590mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 670mOhm @ 590mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 950mV @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.05nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 30.3pF @ 15V |
| 전력-최대 | 285mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-XFDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | DFN1010B-6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 0.9V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 800mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 26pF @ 10V 전력-최대 120mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 EMT6 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V, 45nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V 전력-최대 27W (Tc), 48W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 8mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1900pF @ 25V 전력-최대 34W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 Dual |
제조업체 EPC 시리즈 eGaN® FET 유형 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.7A, 500mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 9-VFBGA 공급자 장치 패키지 9-BGA (1.35x1.35) |
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