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PMDXB950UPELZ

PMDXB950UPELZ

참조 용

부품 번호 PMDXB950UPELZ
PNEDA 부품 번호 PMDXB950UPELZ
설명 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMDXB950UPELZ 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMDXB950UPELZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
PMDXB950UPELZ, PMDXB950UPELZ 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 732.8 KB)
PDFPMDXB950UPELZ 데이터 시트 표지
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PMDXB950UPELZ 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)500mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds43pF @ 10V
전력-최대380mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지DFN1010B-6

관심을 가질만한 제품

SI4804BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMP2900UV-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

NTTFS5C466NLTAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta), 51A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-WDFN (3.3x3.3)

APTC60HM70T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

39A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 2.7mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

259nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7000pF @ 25V

전력-최대

250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

SI3900DV-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

최근 판매

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MMBT2222ALT1G

MMBT2222ALT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 40V 0.6A SOT23

FW2500025Z

FW2500025Z

Diodes Incorporated

CRYSTAL 25MHZ 20PF SMD

FXMA2102UMX

FXMA2102UMX

ON Semiconductor

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8MLP

2873000202

2873000202

Fair-Rite Products

FERRITE CORE MULTI-APERTURE

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