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PMEG3010BEP,115

PMEG3010BEP,115 PMEG3010BEP,115

참조 용

부품 번호 PMEG3010BEP,115
PNEDA 부품 번호 PMEG3010BEP-115
설명 DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD128
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 8,460
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 16 - 3월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMEG3010BEP 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMEG3010BEP,115
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
PMEG3010BEP, PMEG3010BEP 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 230.21 KB)
PDFPMEG3010BEP 데이터 시트 표지
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PMEG3010BEP 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If450mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 30V
커패시턴스 @ Vr, F170pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-128
공급자 장치 패키지CFP5
작동 온도-접합150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

300A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 942A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

40mA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Stud Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-205AB, DO-9

작동 온도-접합

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 1.5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

4µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BYT56D-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

100ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-64, Axial

공급자 장치 패키지

SOD-64

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

VSB2045Y-M3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

6.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

580mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.2mA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

2050pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

P600, Axial

공급자 장치 패키지

P600

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

UFS340GE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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작동 온도-접합

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