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PMGD175XNEX

PMGD175XNEX

참조 용

부품 번호 PMGD175XNEX
PNEDA 부품 번호 PMGD175XNEX
설명 MOSFET 2 N-CH 30V 870MA 6TSSOP
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 225,348
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMGD175XNEX 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMGD175XNEX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
PMGD175XNEX, PMGD175XNEX 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 720.92 KB)
PDFPMGD175XNEX 데이터 시트 표지
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PMGD175XNEX 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)870mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs252mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.65nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds81pF @ 15V
전력-최대260mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지6-TSSOP

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N Channel (Phase Leg)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1700V (1.7kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 5mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

380nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6160pF @ 1000V

전력-최대

700W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

DMC2057UVT-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta), 3.3A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

416pF @ 10V, 536pF @ 10V

전력-최대

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

TSOT-26

AON5820

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1510pF @ 10V

전력-최대

1.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-DFN-EP (2x5)

DMN1029UFDB-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.6nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

914pF @ 6V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type B)

IRF7379QTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A, 4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 25V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-SO

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