PMGD175XNEX
참조 용
| 부품 번호 | PMGD175XNEX |
| PNEDA 부품 번호 | PMGD175XNEX |
| 설명 | MOSFET 2 N-CH 30V 870MA 6TSSOP |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 225,348 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 30 - 5월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PMGD175XNEX 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PMGD175XNEX |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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PMGD175XNEX 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 870mA (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 252mOhm @ 900mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.65nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 81pF @ 15V |
| 전력-최대 | 260mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급자 장치 패키지 | 6-TSSOP |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N Channel (Phase Leg) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1700V (1.7kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 5mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 380nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6160pF @ 1000V 전력-최대 700W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A (Ta), 3.3A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 416pF @ 10V, 536pF @ 10V 전력-최대 700mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 TSOT-26 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A, 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 29mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1200pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 305mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 25V 전력-최대 250mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
