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PMGD290XN,115

PMGD290XN,115

참조 용

부품 번호 PMGD290XN,115
PNEDA 부품 번호 PMGD290XN-115
설명 MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 1,393,986
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PMGD290XN 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMGD290XN,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
PMGD290XN, PMGD290XN 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 209.88 KB)
PDFPMGD290XN 데이터 시트 표지
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PMGD290XN 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈TrenchMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)860mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs350mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.72nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds34pF @ 20V
전력-최대410mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지6-TSSOP

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 1.8V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

67mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

486pF @ 10V

전력-최대

2.3W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

CoolMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Super Junction

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

59A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

540nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13600pF @ 100V

전력-최대

462W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.4A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1140pF @ 25V

전력-최대

3.3W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

FDS3912

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

632pF @ 50V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IRL6297SDTRPBF

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 35µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

54nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2245pF @ 10V

전력-최대

1.7W

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