PMN70XPX
참조 용
| 부품 번호 | PMN70XPX |
| PNEDA 부품 번호 | PMN70XPX |
| 설명 | MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,616 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 14 - 3월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PMN70XPX 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PMN70XPX |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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PMN70XPX 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.1A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 88mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 900mV @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±12V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 550pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 530mW (Ta), 4.46W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 6-TSOP |
| 패키지 / 케이스 | SC-74, SOT-457 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 QFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 810pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 80W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSVI FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.8nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 840pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23F 패키지 / 케이스 SOT-23-3 Flat Leads |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 MDmesh™ M6 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 72A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 36mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.75V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 106nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4850pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 446W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247 Long Leads 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolMOS™ CE FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs 650mOhm @ 1.8A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 342pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 5W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-SOT223 패키지 / 케이스 SOT-223-3 |
