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PMN70XPX

PMN70XPX

참조 용

부품 번호 PMN70XPX
PNEDA 부품 번호 PMN70XPX
설명 MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP
제조업체 Nexperia
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMN70XPX 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMN70XPX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
PMN70XPX, PMN70XPX 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 735.37 KB)
PDFPMN70XPX 데이터 시트 표지
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PMN70XPX 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs88mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds550pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)530mW (Ta), 4.46W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지6-TSOP
패키지 / 케이스SC-74, SOT-457

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제조업체

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 30W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

SSM3J328R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

U-MOSVI

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29.8mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.8nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

840pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23F

패키지 / 케이스

SOT-23-3 Flat Leads

PMN42XPEAH

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

46mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.3nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1410pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500mW (Ta), 8.33W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-TSOP

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

IPN50R650CEATMA1

Infineon Technologies

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Infineon Technologies

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CoolMOS™ CE

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드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

13V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

650mOhm @ 1.8A, 13V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

342pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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