PMT760EN,115
참조 용
| 부품 번호 | PMT760EN,115 |
| PNEDA 부품 번호 | PMT760EN-115 |
| 설명 | MOSFET N-CH 100V SC-73 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,610 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PMT760EN 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PMT760EN,115 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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PMT760EN 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 900mA (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 800mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 160pF @ 80V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 800mW (Ta), 6.2W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-223 |
| 패키지 / 케이스 | TO-261-4, TO-261AA |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 QFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 250pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 37W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 129A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 70mOhm @ 64.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 15mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1116nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 31100pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2272W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 SP6 패키지 / 케이스 SP6 |
