PMWD19UN,518
참조 용
| 부품 번호 | PMWD19UN,518 |
| PNEDA 부품 번호 | PMWD19UN-518 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,176 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 20 - 12월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PMWD19UN 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PMWD19UN,518 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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PMWD19UN 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | TrenchMOS™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.6A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 700mV @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 28nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1478pF @ 10V |
| 전력-최대 | 2.3W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-TSSOP |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs 276mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 165nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5316pF @ 25V 전력-최대 208W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 220mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.8Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.87nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 22pF @ 25V 전력-최대 300mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
제조업체 시리즈 NexFET™ FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs 16.3mOhm @ 8A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 564pF @ 15V 전력-최대 4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 5-LGA 공급자 장치 패키지 5-PTAB (3x2.5) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1299pF @ 10V 전력-최대 2.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 18-WFBGA 공급자 장치 패키지 18-BGA (2.5x4) |
