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PMWD26UN,518

PMWD26UN,518

참조 용

부품 번호 PMWD26UN,518
PNEDA 부품 번호 PMWD26UN-518
설명 MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,176
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMWD26UN 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMWD26UN,518
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
PMWD26UN, PMWD26UN 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 89.76 KB)
PDFPMWD26UN 데이터 시트 표지
PMWD26UN 데이터 시트 페이지 2 PMWD26UN 데이터 시트 페이지 3 PMWD26UN 데이터 시트 페이지 4 PMWD26UN 데이터 시트 페이지 5 PMWD26UN 데이터 시트 페이지 6 PMWD26UN 데이터 시트 페이지 7 PMWD26UN 데이터 시트 페이지 8 PMWD26UN 데이터 시트 페이지 9 PMWD26UN 데이터 시트 페이지 10 PMWD26UN 데이터 시트 페이지 11

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PMWD26UN 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈TrenchMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs30mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id700mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs23.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1366pF @ 16V
전력-최대3.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

220pF @ 10V

전력-최대

1.65W

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

TLM832DS

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

24-SMD

SIZ980DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

930pF @ 15V, 4600pF @ 15V

전력-최대

20W, 66W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-PowerPair®

ZXMC10A816N8TC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

230mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

497pF @ 50V

전력-최대

1.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

AO5804E

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

45pF @ 10V

전력-최대

280mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

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