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PMXB43UNEZ

PMXB43UNEZ

참조 용

부품 번호 PMXB43UNEZ
PNEDA 부품 번호 PMXB43UNEZ
설명 MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN
제조업체 Nexperia
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMXB43UNEZ 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMXB43UNEZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
PMXB43UNEZ, PMXB43UNEZ 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 729.13 KB)
PDFPMXB43UNEZ 데이터 시트 표지
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PMXB43UNEZ 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs54mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds551pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)400mW (Ta), 8.33W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DFN1010D-3
패키지 / 케이스3-XDFN Exposed Pad

관심을 가질만한 제품

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 73A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.8V @ 70µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3840pF @ 37.5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

136W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

SI8457DB-T1-E1

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

93nC @ 8V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2900pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.1W (Ta), 2.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)

패키지 / 케이스

4-UFBGA

AO4266E

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

AlphaSGT™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

755pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NVMFS5C673NLWFT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.2mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 35µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

880pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.6W (Ta), 46W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

STD15NF10T4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

870pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

70W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

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IS42S16160J-6BLI

IS42S16160J-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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4610X-101-102LF

4610X-101-102LF

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IS25LP032D-JNLE-TR

IS25LP032D-JNLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP

1N4148W-7-F

1N4148W-7-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 100V 300MA SOD123

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CM1213-08MR

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