PMXB75UPEZ
참조 용
| 부품 번호 | PMXB75UPEZ |
| PNEDA 부품 번호 | PMXB75UPEZ |
| 설명 | MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 51,126 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PMXB75UPEZ 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PMXB75UPEZ |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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PMXB75UPEZ 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.9A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 608pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 317mW (Ta), 8.33W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | DFN1010D-3 |
| 패키지 / 케이스 | 3-XDFN Exposed Pad |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 340pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 63nC @ 10V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1670pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2W (Ta), 4.2W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-TSOP 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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