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PN200_D26Z

PN200_D26Z

참조 용

부품 번호 PN200_D26Z
PNEDA 부품 번호 PN200_D26Z
설명 TRANS PNP 45V 0.5A TO-92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 4 - 3월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PN200_D26Z 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PN200_D26Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
PN200_D26Z, PN200_D26Z 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 877.73 KB)
PDFPN200_D75Z 데이터 시트 표지
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PN200_D26Z 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic400mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대)50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 1V
전력-최대625mW
주파수-전환250MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

300mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 30mA, 300mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 50mA, 1V

전력-최대

300mW

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

공급자 장치 패키지

TO-92S

CXTA14 TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V

전력-최대

1.2W

주파수-전환

125MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89

TIP33C

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 3A, 4V

전력-최대

80W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-218-3

공급자 장치 패키지

TO-218

JAN2N6298

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/540

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 80mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 4A, 3V

전력-최대

64W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-213AA, TO-66-2

공급자 장치 패키지

TO-66 (TO-213AA)

BDX53B

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 12mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 3A, 3V

전력-최대

60W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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