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PN4117A_J61Z

PN4117A_J61Z

참조 용

부품 번호 PN4117A_J61Z
PNEDA 부품 번호 PN4117A_J61Z
설명 JFET N-CH 40V 0.35W TO92
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $0.1804
500 ---------- $0.1719
1,000 ---------- $0.1634
2,500 ---------- $0.1550
5,000 ---------- $0.1479
10,000 ---------- $0.1409
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PN4117A_J61Z 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PN4117A_J61Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
PN4117A_J61Z, PN4117A_J61Z 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 25.83 KB)
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PN4117A_J61Z 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)40V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)30µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id600mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대350mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 135°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

360mW

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

15mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

50 Ohms

전력-최대

360mW

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

3-UB (3.09x2.45)

2N4117A-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30µA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

35V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

50 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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