PRF13750HR9
참조 용
| 부품 번호 | PRF13750HR9 |
| PNEDA 부품 번호 | PRF13750HR9 |
| 설명 | RF FET 915MHZ 750W |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,268 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PRF13750HR9 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PRF13750HR9 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
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PRF13750HR9 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual) |
| 주파수 | 700MHz ~ 1.3GHz |
| 이득 | 20.6dB |
| 전압-테스트 | - |
| 전류 정격 (Amps) | 10µA |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | - |
| 전원-출력 | 650W |
| 전압-정격 | 105V |
| 패키지 / 케이스 | SOT-979A |
| 공급자 장치 패키지 | NI-1230-4H |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 520MHz 이득 15dB 전압-테스트 12.5V 전류 정격 (Amps) 2A 소음 수치 - 현재-테스트 50mA 전원-출력 3W 전압-정격 40V 패키지 / 케이스 PLD-1.5 공급자 장치 패키지 PLD-1.5 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 2.5GHz 이득 14.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 800mA 전원-출력 60W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-1230-4LS2L 공급자 장치 패키지 NI-1230-4LS2L |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual), Common Source 주파수 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득 18.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 65A 소음 수치 - 현재-테스트 1.9A 전원-출력 70W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT539B 공급자 장치 패키지 SOT539B |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 GaN 트랜지스터 유형 HEMT 주파수 6GHz 이득 15dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 250mA 전원-출력 30W 전압-정격 84V 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
