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PSMN2R9-25YLC,115

PSMN2R9-25YLC,115

참조 용

부품 번호 PSMN2R9-25YLC,115
PNEDA 부품 번호 PSMN2R9-25YLC-115
설명 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 26 - 1월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PSMN2R9-25YLC 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PSMN2R9-25YLC,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
PSMN2R9-25YLC, PSMN2R9-25YLC 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 938.07 KB)
PDFPSMN2R9-25YLC 데이터 시트 표지
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  • PSMN2R9-25YLC,115 Distributor

PSMN2R9-25YLC 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.15mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.95V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs33nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2083pF @ 12V
FET 기능-
전력 손실 (최대)92W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스SC-100, SOT-669

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

900mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

263pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (D²Pak)

패키지 / 케이스

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제조업체

STMicroelectronics

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11550pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

H2PAK-6

패키지 / 케이스

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

AO4440

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOIC

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IPP100N10S305AKSA1

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제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.1mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 240µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

176nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11570pF @ 25V

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-

전력 손실 (최대)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

85nC @ 20V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1090pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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