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PSMN5R3-25MLDX

PSMN5R3-25MLDX

참조 용

부품 번호 PSMN5R3-25MLDX
PNEDA 부품 번호 PSMN5R3-25MLDX
설명 PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
제조업체 Nexperia
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PSMN5R3-25MLDX 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PSMN5R3-25MLDX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
PSMN5R3-25MLDX, PSMN5R3-25MLDX 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 724.42 KB)
PDFPSMN5R3-25MLDX 데이터 시트 표지
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PSMN5R3-25MLDX 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12.7nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds858pF @ 12V
FET 기능Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대)51W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지LFPAK33
패키지 / 케이스SOT-1210, 8-LFPAK33

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-

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N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7Ohm @ 840mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

229pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

36W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD160N04LGBTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

31W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

HAT2261H-EL-E

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4400pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

25W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

625pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

73W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 0.21mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

474pF @ 100V

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Super Junction

전력 손실 (최대)

86W (Tc)

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