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PTAB182002FC-V1-R0

PTAB182002FC-V1-R0

참조 용

부품 번호 PTAB182002FC-V1-R0
PNEDA 부품 번호 PTAB182002FC-V1-R0
설명 IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4
제조업체 Cree/Wolfspeed
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTAB182002FC-V1-R0 리소스

브랜드 Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTAB182002FC-V1-R0
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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  • PTAB182002FC-V1-R0 Distributor

PTAB182002FC-V1-R0 사양

제조업체Cree/Wolfspeed
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.88GHz
이득15.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트520mA
전원-출력29W
전압-정격65V
패키지 / 케이스H-37248-4
공급자 장치 패키지H-37248-4

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

18.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.7A

전원-출력

75W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

15.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

0.6dB

현재-테스트

300mA

전원-출력

360W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-3

공급자 장치 패키지

SOT-1258-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

18.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

70W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

765MHz

이득

19dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

220W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-33288-2

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