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PTAB182002TCV2XWSA1

PTAB182002TCV2XWSA1

참조 용

부품 번호 PTAB182002TCV2XWSA1
PNEDA 부품 번호 PTAB182002TCV2XWSA1
설명 IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTAB182002TCV2XWSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTAB182002TCV2XWSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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PTAB182002TCV2XWSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈*
트랜지스터 유형-
주파수-
이득-
전압-테스트-
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트-
전원-출력-
전압-정격-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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28V

전류 정격 (Amps)

3.1A

소음 수치

-

현재-테스트

130mA

전원-출력

2W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-975C

공급자 장치 패키지

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

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이득

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전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.4A

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37275-6/2

공급자 장치 패키지

H-37275-6/2

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시리즈

-

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전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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NI-780S-4

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제조업체

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시리즈

-

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이득

-

전압-테스트

15V

전류 정격 (Amps)

5mA

소음 수치

4dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

940MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

39W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

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