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PTFA080551E V1

PTFA080551E V1

참조 용

부품 번호 PTFA080551E V1
PNEDA 부품 번호 PTFA080551E-V1
설명 IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,208
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA080551E V1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA080551E V1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA080551E V1, PTFA080551E V1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 212.31 KB)
PDFPTFA080551F V1 데이터 시트 표지
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PTFA080551E V1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수960MHz
이득18.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트600mA
전원-출력55W
전압-정격65V
패키지 / 케이스H-36265-2
공급자 장치 패키지H-36265-2

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트랜지스터 유형

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주파수

6GHz

이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

125mA

전원-출력

75W

전압-정격

150V

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

460MHz

이득

-

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

3A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

40dBm

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

79A

PTFA260851F V1 R250

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.68GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

85W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-31248-2

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.2GHz

이득

17dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

400W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-4

공급자 장치 패키지

SOT1258-4

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

2GHz

이득

18dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

80mA

소음 수치

0.4dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

10dBm

전압-정격

5.5V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-343

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