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PTFA082201FV4XWSA1

PTFA082201FV4XWSA1

참조 용

부품 번호 PTFA082201FV4XWSA1
PNEDA 부품 번호 PTFA082201FV4XWSA1
설명 IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,048
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA082201FV4XWSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA082201FV4XWSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
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  • PTFA082201FV4XWSA1 Distributor

PTFA082201FV4XWSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수894MHz
이득18dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트1.95A
전원-출력220W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지H-37260-2

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시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

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이득

17dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.62A

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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SOT502B

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시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.2GHz

이득

17dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

240mA

전원-출력

16W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.88GHz

이득

15.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

63W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

17.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

OM-780-2L2L

공급자 장치 패키지

OM-780-2L2L

SD4933

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

30MHz

이득

24dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

40A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

300W

전압-정격

200V

패키지 / 케이스

M177

공급자 장치 패키지

M177

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