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PTFA091201E-V4-R250

PTFA091201E-V4-R250

참조 용

부품 번호 PTFA091201E-V4-R250
PNEDA 부품 번호 PTFA091201E-V4-R250
설명 IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2
제조업체 Cree/Wolfspeed
단가 견적 요청
재고 있음 8,442
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA091201E-V4-R250 리소스

브랜드 Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA091201E-V4-R250
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA091201E-V4-R250, PTFA091201E-V4-R250 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 1,579.69 KB)
PDFPTFA091201FV4R250XTMA1 데이터 시트 표지
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PTFA091201E-V4-R250 사양

제조업체Cree/Wolfspeed
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수960MHz
이득19dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트750mA
전원-출력110W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지H-36248-2

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

800MHz

이득

11dB

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

7mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

PTFA070601EV4R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

760MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36265-2

공급자 장치 패키지

H-36265-2

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

920MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

860mA

전원-출력

100W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

OM-780G-4L

공급자 장치 패키지

OM-780G-4L

2SK3475TE12LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

520MHz

이득

14.9dB

전압-테스트

7.2V

전류 정격 (Amps)

1A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

630mW

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SC-62

PTVA042502FC-V1-R250

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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