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PTFA091503ELV4R0XTMA1

PTFA091503ELV4R0XTMA1

참조 용

부품 번호 PTFA091503ELV4R0XTMA1
PNEDA 부품 번호 PTFA091503ELV4R0XTMA1
설명 RF MOSFET LDMOS 30V H-33288-6
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,508
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 4 - 11월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA091503ELV4R0XTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA091503ELV4R0XTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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PTFA091503ELV4R0XTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수920MHz ~ 960MHz
이득17dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트1.25A
전원-출력150W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지H-33288-6

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시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

108MHz

이득

28.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

600W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

SOT-1214B

공급자 장치 패키지

LDMOST

BF999E6433HTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

45MHz

이득

27dB

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

2.1dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

20dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

TO-270AA

공급자 장치 패키지

TO-270-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

857MHz ~ 863MHz

이득

20.2dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

270W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-860C3

공급자 장치 패키지

NI-860C3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz

이득

16.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

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