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PTFA181001EV4R250XTMA1

PTFA181001EV4R250XTMA1

참조 용

부품 번호 PTFA181001EV4R250XTMA1
PNEDA 부품 번호 PTFA181001EV4R250XTMA1
설명 IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,924
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 27 - 2월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA181001EV4R250XTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA181001EV4R250XTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA181001EV4R250XTMA1, PTFA181001EV4R250XTMA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 402.3 KB)
PDFPTFA181001E V4 T500 데이터 시트 표지
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  • PTFA181001EV4R250XTMA1 Distributor

PTFA181001EV4R250XTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.88GHz
이득16.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)1µA
소음 수치-
현재-테스트750mA
전원-출력100W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지H-36248-2

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Cree/Wolfspeed

시리즈

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주파수

2.17GHz

이득

20.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

120mA

전원-출력

2.4W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

10-LDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

PG-SON-10

BLF8G27LS-100PJ

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

860mA

전원-출력

25W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121B

공급자 장치 패키지

LDMOST

PD55015TR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

14dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

5A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

15W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

PTVA120252MT-V1-R1K

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

500MHz ~ 1.4GHz

이득

20.2dB

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

30.2W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

16-TDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

PG-SON-16

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

36A

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

43W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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