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PTFA190451EV4R250XTMA1

PTFA190451EV4R250XTMA1

참조 용

부품 번호 PTFA190451EV4R250XTMA1
PNEDA 부품 번호 PTFA190451EV4R250XTMA1
설명 IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,302
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 29 - 4월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA190451EV4R250XTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA190451EV4R250XTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA190451EV4R250XTMA1, PTFA190451EV4R250XTMA1 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 391.96 KB)
PDFPTFA190451FV4R250XTMA1 데이터 시트 표지
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PTFA190451EV4R250XTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.96GHz
이득17.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트450mA
전원-출력11W
전압-정격65V
패키지 / 케이스H-36265-2
공급자 장치 패키지H-36265-2

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M/A-Com Technology Solutions

시리즈

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트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

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이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

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현재-테스트

25mA

전원-출력

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65V

패키지 / 케이스

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시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

33W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

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PTFA210701EV4XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

18W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36265-2

공급자 장치 패키지

H-36265-2

BLF573S,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

225MHz

이득

27.2dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

42A

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

300W

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