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PTFA192001F V4 R250

PTFA192001F V4 R250

참조 용

부품 번호 PTFA192001F V4 R250
PNEDA 부품 번호 PTFA192001F-V4-R250
설명 IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,920
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA192001F V4 R250 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA192001F V4 R250
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA192001F V4 R250, PTFA192001F V4 R250 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 427.7 KB)
PDFPTFA192001EV4R0XTMA1 데이터 시트 표지
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  • PTFA192001F V4 R250 Distributor

PTFA192001F V4 R250 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.99GHz
이득15.9dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트1.8A
전원-출력50W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지H-37260-2

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트랜지스터 유형

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주파수

3.1GHz ~ 3.5GHz

이득

11.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

220W

전압-정격

120V

패키지 / 케이스

440201

공급자 장치 패키지

440201

PN4416_D27Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

400MHz

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

4dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

920MHz

이득

30.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

25mA

전원-출력

9W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

TO-270-15 Variant, Gull Wing

공급자 장치 패키지

TO-270WBG-15

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

25dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

600W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

SOT-979A

공급자 장치 패키지

NI-1230-4H

MRF282ZR1

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2GHz

이득

11.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

75mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-200Z

공급자 장치 패키지

NI-200Z

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