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PTFA192401FV4R250XTMA1

PTFA192401FV4R250XTMA1

참조 용

부품 번호 PTFA192401FV4R250XTMA1
PNEDA 부품 번호 PTFA192401FV4R250XTMA1
설명 IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,078
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA192401FV4R250XTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA192401FV4R250XTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA192401FV4R250XTMA1, PTFA192401FV4R250XTMA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 425.04 KB)
PDFPTFA192401FV4R250XTMA1 데이터 시트 표지
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PTFA192401FV4R250XTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.96GHz
이득16dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트1.6A
전원-출력50W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지H-37260-2

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트랜지스터 유형

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주파수

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이득

10.2dB

전압-테스트

40V

전류 정격 (Amps)

12A

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

131W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

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440210

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IXYS-RF

시리즈

Z-MOS™

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

65MHz

이득

23dB

전압-테스트

100V

전류 정격 (Amps)

8A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

250W

전압-정격

1200V

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

2SK3557-6-TB-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

1kHz

이득

-

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

50mA

소음 수치

1dB

현재-테스트

1mA

전원-출력

200mW

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

3-CP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

19.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

34W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.99GHz

이득

18.2dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

74W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1110B

공급자 장치 패키지

NI1230S-8

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