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PTFA212001F/1 P4

PTFA212001F/1 P4

참조 용

부품 번호 PTFA212001F/1 P4
PNEDA 부품 번호 PTFA212001F-1-P4
설명 IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,362
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA212001F/1 P4 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA212001F/1 P4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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  • PTFA212001F/1 P4 Distributor

PTFA212001F/1 P4 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.14GHz
이득15.8dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트1.6A
전원-출력50W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지H-37260-2

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전원-출력

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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LDMOS

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760MHz

이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

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-

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전원-출력

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패키지 / 케이스

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소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

300W

전압-정격

-

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Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

19.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

120W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT1275-3

공급자 장치 패키지

DFM6

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

13dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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