PTFA261301F V1
참조 용
| 부품 번호 | PTFA261301F V1 |
| PNEDA 부품 번호 | PTFA261301F-V1 |
| 설명 | IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,598 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PTFA261301F V1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PTFA261301F V1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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PTFA261301F V1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | GOLDMOS® |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 2.68GHz |
| 이득 | 13.5dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | 10µA |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 1.4A |
| 전원-출력 | 130W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged |
| 공급자 장치 패키지 | H-31260-2 |
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제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 1.99GHz 이득 20dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.25A 전원-출력 40W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780S-4 공급자 장치 패키지 NI-780S-4 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 30MHz 이득 24dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 20A 소음 수치 - 현재-테스트 250mA 전원-출력 200W 전압-정격 170V 패키지 / 케이스 M174 공급자 장치 패키지 M174 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel Dual Gate 주파수 800MHz 이득 - 전압-테스트 5V 전류 정격 (Amps) 40mA 소음 수치 2dB 현재-테스트 15mA 전원-출력 - 전압-정격 7V 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 6-TSSOP |
