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PTFB211501FV1R250XTMA1

PTFB211501FV1R250XTMA1

참조 용

부품 번호 PTFB211501FV1R250XTMA1
PNEDA 부품 번호 PTFB211501FV1R250XTMA1
설명 FET RF 65V 2.17GHZ H37248-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,968
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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PTFB211501FV1R250XTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFB211501FV1R250XTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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  • PTFB211501FV1R250XTMA1 Distributor

PTFB211501FV1R250XTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.17GHz
이득18dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.2A
전원-출력40W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지H-37248-2

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시리즈

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주파수

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이득

8dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

12A

소음 수치

-

현재-테스트

20mA

전원-출력

100W

전압-정격

65V

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공급자 장치 패키지

LDMOST

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Cree/Wolfspeed

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트랜지스터 유형

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주파수

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이득

15dB

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28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

850mA

전원-출력

68W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

H-37275-4

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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이득

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1A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1.2W

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-243AA

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소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

30.2W

전압-정격

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.58GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

28W

전압-정격

65V

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