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PTFB211803FLV2R0XTMA1

PTFB211803FLV2R0XTMA1

참조 용

부품 번호 PTFB211803FLV2R0XTMA1
PNEDA 부품 번호 PTFB211803FLV2R0XTMA1
설명 IC AMP RF LDMOS H-34288-4
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,634
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFB211803FLV2R0XTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFB211803FLV2R0XTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFB211803FLV2R0XTMA1, PTFB211803FLV2R0XTMA1 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 593.38 KB)
PDFPTFB211803FLV2R0XTMA1 데이터 시트 표지
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  • PTFB211803FLV2R0XTMA1 Distributor

PTFB211803FLV2R0XTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.17GHz
이득17.5dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.3A
전원-출력40W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지H-34288-4/2

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

18dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-2

공급자 장치 패키지

H-37248-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz ~ 1.99GHz

이득

13dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

850mA

전원-출력

18W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.6GHz ~ 2.7GHz

이득

17dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.73A

전원-출력

65W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1251-3

공급자 장치 패키지

8-DFM

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

15.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

360W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-3

공급자 장치 패키지

SOT-1258-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

130MHz

이득

26dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

1000W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

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