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PTFB212507SHV1R250XTMA1

PTFB212507SHV1R250XTMA1

참조 용

부품 번호 PTFB212507SHV1R250XTMA1
PNEDA 부품 번호 PTFB212507SHV1R250XTMA1
설명 IC AMP RF LDMOS
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,010
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 2 - 4월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFB212507SHV1R250XTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFB212507SHV1R250XTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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  • PTFB212507SHV1R250XTMA1 Distributor

PTFB212507SHV1R250XTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈*
트랜지스터 유형-
주파수-
이득-
전압-테스트-
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트-
전원-출력-
전압-정격-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

30W

전압-정격

84V

패키지 / 케이스

440166

공급자 장치 패키지

440166

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

17.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

18.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.7A

전원-출력

75W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

17.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

33W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

10.8dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

55mA

전원-출력

3W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

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