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PTFB260605ELV1R250XTMA1

PTFB260605ELV1R250XTMA1

참조 용

부품 번호 PTFB260605ELV1R250XTMA1
PNEDA 부품 번호 PTFB260605ELV1R250XTMA1
설명 IC FET RF LDMOS
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,174
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFB260605ELV1R250XTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFB260605ELV1R250XTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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PTFB260605ELV1R250XTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈*
트랜지스터 유형-
주파수-
이득-
전압-테스트-
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트-
전원-출력-
전압-정격-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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이득

18dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

12A

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

200W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

440162

공급자 장치 패키지

440162

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.14GHz

이득

18.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

48W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

1MHz ~ 2.5GHz

이득

16.3dB

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

100W

전압-정격

50V

패키지 / 케이스

NI-360H-2SB

공급자 장치 패키지

NI-360H-2SB

BLF8G38LS-75VU

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

3.4GHz ~ 3.6GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

20W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1239B

공급자 장치 패키지

CDFM6

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.3GHz ~ 2.4GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

51W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

ACP-1230S-4L2S

공급자 장치 패키지

ACP-1230S-4L2S

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