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PTZTE253.6B

PTZTE253.6B

참조 용

부품 번호 PTZTE253.6B
PNEDA 부품 번호 PTZTE253-6B
설명 DIODE ZENER 3.8V 1W PMDS
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 30,245
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 20 - 4월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTZTE253.6B 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTZTE253.6B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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PTZTE253.6B 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)3.8V
공차±5%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)15 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr60µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지PMDS

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

28V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

44 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 21V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

1PMT5946/TR7

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

75V

공차

±20%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

140 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 56V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216AA

1N5373E3/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

68V

공차

±20%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

44 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 49V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

CZRER52C3V3

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±5%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

95 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

0503 (1308 Metric)

공급자 장치 패키지

0503 (1308 Metric)

SZMM5Z12VT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

12V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-523

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