PVI5080NPBF
참조 용
| 부품 번호 | PVI5080NPBF | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | PVI5080NPBF | ||||||||||||||||||
| 설명 | OPTOISO 4KV PHOTOVOLTAIC 8-DIP | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 2,908 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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PVI5080NPBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PVI5080NPBF |
| 분류 | 반도체 › 절연체 › 광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 |
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PVI5080NPBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | PVI |
| 채널 수 | 1 |
| 전압-절연 | 4000Vrms |
| 전류 전송 비율 (최소) | - |
| 전류 전송 비율 (최대) | - |
| 켜기 / 끄기 시간 (일반) | 300µs, 220µs (Max) |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | - |
| 입력 유형 | DC |
| 출력 유형 | Photovoltaic |
| 전압-출력 (최대) | 5V |
| 전류-출력 / 채널 | 8µA |
| 전압-순방향 (Vf) (통상) | - |
| 전류-DC 순방향 (If) (최대) | - |
| Vce 포화 (최대) | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 8-DIP (0.300", 7.62mm), 4 Leads |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DIP Modified |
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제조업체 Everlight Electronics Co Ltd 시리즈 - 채널 수 1 전압-절연 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소) 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대) 200% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반) - 상승 / 하강 시간 (일반) 5µs, 3µs 입력 유형 DC 출력 유형 Transistor 전압-출력 (최대) 80V 전류-출력 / 채널 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 50mA Vce 포화 (최대) 200mV 작동 온도 -55°C ~ 110°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 4-SSOP |
제조업체 Everlight Electronics Co Ltd 시리즈 - 채널 수 1 전압-절연 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소) 200% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대) - 켜기 / 끄기 시간 (일반) 25µs, 18µs 상승 / 하강 시간 (일반) - 입력 유형 DC 출력 유형 Darlington with Base 전압-출력 (최대) 55V 전류-출력 / 채널 - 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 60mA Vce 포화 (최대) 1V 작동 온도 -55°C ~ 100°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지 6-DIP |
