PZM24NB3,115
참조 용
| 부품 번호 | PZM24NB3,115 |
| PNEDA 부품 번호 | PZM24NB3-115 |
| 설명 | DIODE ZENER 24V 300MW SMT3 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,860 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PZM24NB3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PZM24NB3,115 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
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PZM24NB3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 24V |
| 공차 | ±2% |
| 전력-최대 | 300mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 30 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 70nA @ 19V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.1V @ 100mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | SMT3; MPAK |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 6V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 7 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 3.5V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-80 Variant 공급자 장치 패키지 SOD-80 QuadroMELF |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 47V 공차 ±5% 전력-최대 1.5W 임피던스 (최대) (Zzt) 67 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 35.8V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지 DO-214AC (SMA) |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 7.5V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 5.7V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123 공급자 장치 패키지 SOD-123 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 12V 공차 ±5% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 9 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 9.1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 150°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 2.7V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 85 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 10mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 1206 (3216 Metric) 공급자 장치 패키지 1206 |
