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QH12BZ600

QH12BZ600

참조 용

부품 번호 QH12BZ600
PNEDA 부품 번호 QH12BZ600
설명 DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB
제조업체 Power Integrations
단가 견적 요청
재고 있음 8,100
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

QH12BZ600 리소스

브랜드 Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호QH12BZ600
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
QH12BZ600, QH12BZ600 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 229.62 KB)
PDFQH12BZ600 데이터 시트 표지
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QH12BZ600 사양

제조업체Power Integrations
시리즈Qspeed™
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)12A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If3.1V @ 12A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)11.6ns
전류-역방향 누설 @ Vr250µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F34pF @ 10V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

300ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

22pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

250V

전류-평균 정류 (Io)

250mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

SOT-26

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

BAS 70-02W E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

70V

전류-평균 정류 (Io)

70mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 15mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

100ps

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-80

공급자 장치 패키지

SCD-80

작동 온도-접합

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BYG21M R3G

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

120ns

전류-역방향 누설 @ Vr

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