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QS6K1TR

QS6K1TR

참조 용

부품 번호 QS6K1TR
PNEDA 부품 번호 QS6K1TR
설명 MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 219,246
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

QS6K1TR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호QS6K1TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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QS6K1TR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs238mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds77pF @ 10V
전력-최대1.25W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지TSMT6 (SC-95)

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

220pF @ 10V

전력-최대

1.65W

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

TLM832DS

TSM4925DCS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.1A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1900pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

DMG6602SVTQ-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A, 2.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 15V

전력-최대

840mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

TSOT-26

DMHT3006LFJ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1171pF @ 15V

전력-최대

1.3W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

V-DFN5045-12

APTC60AM35T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

72A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 5.4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

518nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14000pF @ 25V

전력-최대

416W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

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