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QS8J1TR

QS8J1TR

참조 용

부품 번호 QS8J1TR
PNEDA 부품 번호 QS8J1TR
설명 MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,340
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

QS8J1TR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호QS8J1TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
QS8J1TR, QS8J1TR 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 184.39 KB)
PDFQS8J1TR 데이터 시트 표지
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  • QS8J1TR Distributor

QS8J1TR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs31nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2450pF @ 6V
전력-최대1.5W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지TSMT8

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5900pF @ 20V

전력-최대

75W

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

920pF @ 15V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1310pF @ 15V

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

Micro8™

SIS903DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20.1mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2565pF @ 10V

전력-최대

2.6W (Ta), 23W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8 Dual

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PowerPAK® 1212-8 Dual

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1860pF @ 15V

전력-최대

2.8W

작동 온도

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