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QSL9TR

QSL9TR

참조 용

부품 번호 QSL9TR
PNEDA 부품 번호 QSL9TR
설명 TRANS PNP 12V 1.5A TSMT5
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,580
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

QSL9TR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호QSL9TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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QSL9TR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP + Diode (Isolated)
전류-수집기 (Ic) (최대)1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic200mV @ 25mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce270 @ 200mA, 2V
전력-최대500mW
주파수-전환400MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
공급자 장치 패키지TSMT5

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전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

800mW

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 1A, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

90MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

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트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 16mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 4A, 3V

전력-최대

64W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-213AA, TO-66-2

공급자 장치 패키지

-

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Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

350mW

주파수-전환

400MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

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제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 10V

전력-최대

500mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

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